Laterales Wachstum von Si- und SiGe-LPE Schichten auf strukturierten Substraten

Antragsteller Privatdozent Dr. Michael Hanke
Fachliche Zuordnung Mineralogie, Petrologie und Geochemie
Förderung Förderung von 2005 bis 2009
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5446216
 

Projektergebnisse

Erstellungsjahr 2009

Keine Zusammenfassung vorhanden

Projektbezogene Publikationen (Auswahl)

  • Analysis of epitaxial laterally overgrown silicon structures by high resolution xray rocking curve imaging. Cryst. Res. Technol. 44 (2009) 534
    B. Heimbrodt, D. Lübbert, R. Köhler, T. Boeck, A.-K. Gerlitzke, and M. Hanke
DFG-Verfahren Sachbeihilfen