Formation and Metastability of Pair-Defects in Silicon
Final Report Abstract
In diesem Projekt wurden Defektkomplexe aus Übergangsmetallen im Silizium untersucht. Ziel war es die möglichen strukturellen Metastabilitäten dieser Defekte aufzufinden. Ein bekannter Cu-Defekt wurde auf seine Entstehung und Stabilität untersucht. Da die Stabilität des Defekts gering ist, mussten umfangreiche Untersuchungen zur optimalen Erzeugung des Cu-Defekts bei Raumtemperatur durchgefiihrt werden. Durch Modellierung des Komplexes als ein Paar aus einem substitutionellen und einem interstitiellen Cu-Atom konnten Stmktur und Schwingungsmoden des Defekts bestimmt werden. Photolumineszenz- und elektrische-(DLTS) Untersuchungen bestätigen das Modell des Paares. Eine in der Simulation gefundene Metastabilität des Paares konnte bisher jedoch experimentell nicht bestätigt werden. Neuere Ergebnisse an isotopenreinem Si von M.L.W. Thewalt zeigen zweifelsfrei 4 Cu-Atome in dem oben untersuchten Komplex. Eine Struktur dieses Komplexes wurde bisher noch nicht vorgeschlagen. Es ist das Ziel weiterer Untersuchungen unsere Ergebnisse mit den neuen Daten zu einem strukturellen Modell des Defekts zusammenzubringen.
