Resistiver Schalter / Sensor mit ferromagnetischen Manganaten
Final Report Abstract
Das Teilprojekt hatte zum Ziel, Konzepte für die Manipulation der elektrischen Leitfähigkeit von ferromagnetischen Manganaten in Dünnschichtstrukturen zu erproben, wobei magnetische und elektrische Felder sowie Licht (Kollaboration mit dem Teilprojekt B3) als äußere Parameter eingesetzt wurden. Es wurden Korngrenzen, beispielsweise unter sehr hohen Magnetfeldern bis 60 T und unter reversibler elastischer Dehnung, sowie die Spininjektion in organische Halbleiter untersucht. Dabei wurden magnetische und elektronische Eigenschaften der jeweiligen Grenzfläche bestimmt. Mittels Röntgenphotoemissionsspektroskopie (XPS) wurde der Valenzzustand des Mn in loch- und elektronendotierten Manganaten ermittelt und daraufhin an isolierenden elektronendotierten La0.7Ce0.3MnO3-d Schichten ein lichtinduzierter transienter Metallzustand nachgewiesen.
Publications
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