Resistiver Schalter / Sensor mit ferromagnetischen Manganaten
Zusammenfassung der Projektergebnisse
Das Teilprojekt hatte zum Ziel, Konzepte für die Manipulation der elektrischen Leitfähigkeit von ferromagnetischen Manganaten in Dünnschichtstrukturen zu erproben, wobei magnetische und elektrische Felder sowie Licht (Kollaboration mit dem Teilprojekt B3) als äußere Parameter eingesetzt wurden. Es wurden Korngrenzen, beispielsweise unter sehr hohen Magnetfeldern bis 60 T und unter reversibler elastischer Dehnung, sowie die Spininjektion in organische Halbleiter untersucht. Dabei wurden magnetische und elektronische Eigenschaften der jeweiligen Grenzfläche bestimmt. Mittels Röntgenphotoemissionsspektroskopie (XPS) wurde der Valenzzustand des Mn in loch- und elektronendotierten Manganaten ermittelt und daraufhin an isolierenden elektronendotierten La0.7Ce0.3MnO3-d Schichten ein lichtinduzierter transienter Metallzustand nachgewiesen.
Projektbezogene Publikationen (Auswahl)
- Field dependence of colossal magnetoresistance in magnetic fields up to 50 T. J. Magn. Magn. Mater. 290 416-419 (2005)
K. Dörr, K.-H. Müller, N. Kozlova, P. Reutler, R. Klingeler, B. Büchner, L. Schultz
(Siehe online unter https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2004.11.488) - Piezoelectrically induced resistance modulations in La0.7Sr0.3MnO3 / Pb(Zr,Ti)O3 field effect devices. Appl. Phys. Lett. 87, 162512 (2005)
C. Thiele, K. Dörr, E. Beyreuther, L. Schultz, W.-M. Lin
(Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.2108129) - Multiferroic La0.7Sr0.3MnO3 / Pb(Zr,Ti)O3 bilayers for electric field-induced resistance modulations. Sensors and Actuators A 129, 180 (2006)
C. Thiele, K. Dörr, W.-M. Lin, K.-H. Müller, L. Schultz
(Siehe online unter https://doi.org/10.1016/j.sna.2005.11.039) - XPS investigation of Mn valence in lanthanum manganite thin films under variation of oxygen content. Phys. Rev. B 73, 155425 (2006)
E. Beyreuther, S. Grafström, L. M. Eng, C. Thiele, K. Dörr
(Siehe online unter https://doi.org/10.1103/PhysRevB.73.155425) - Low temperature tunneling magnetoresistance in (La,Sr)MnO3/Co junctions with organic spacer layers. J. Appl. Phys. 103, 093720 (2008)
H. Vinzelberg, J. Schumann, D. Elefant, R. B. Gangineni, J. Thomas, B. Büchner
(Siehe online unter https://doi.org/10.1063/1.2924435) - Large photoconductivity and light-induced recovery of the insulator-metal transition in ultrathin La0.7Ce0.3MnO3-d films. Phys. Rev. B 80, 075106 (2009)
E. Beyreuther, A. Thiessen, S. Grafström, L. M. Eng, M. C. Dekker, K. Dörr
(Siehe online unter https://doi.org/10.1103/PhysRevB.80.075106)
