Ionenstrahlgestütztes Direktbonden herterogener Materialien

• Antragsteller: Dr. Volker Gottschalch
• Fachliche Zuordnung: Messsysteme
• Förderung: Förderung von 2002 bis 2007
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5466172

Das Wafer-Direkt-Bonden ist ein modernes Hochtechnologieverfahren zur Herstellung von Strukturverbunden. Die Arbeiten im Teilprojekt 8 zielen sowohl auf grundlagen- als auch applikationsorientierte Aspekte: Untersuchungen zur Beeinflussung der Ionenstrahl-Oberflächenmodifizierung auf den Bondvorgang, die Bondfähigkeit bzw. -stärke unterschiedlicher Substratmaterialen sowie Studien zum Einfluss der Oberflächenwelligkeit und -mikrorauhigkeit auf die Bondfähigkeit sind dem Grundlagenverständnis gewidmet. Des weiteren zielen die Arbeiten auf die Untersuchung auftretender Bindungsstrukturen sowie auf die Nutzung gezielter Oberflächenstrukturierungen zur Verbesserung der Materialverbunde und den Einfluss von prozessbedingten bzw. von gezielten Adsorbat- oder Monolagen-Schichtbedeckungen. Nach erfolgreichen Bondversuchen an unstrukturierten Materialien (AIII-BV-Verbindungshalbleiter und Silizium) richten sich die Fortsetzungsarbeiten auf das Wafer-Direkt-Bonden von Halbleiterheterostrukturen für optoelektronische Spezialbauelemente, den applikativ orientierten Teil des Projektes. Die erfolgreiche Realisierung der Ziele des Projektes baut auf den gewachsenen Verbundarbeiten zwischen den Teilprojekten 1, 2.1, 2.2, und 7 der Forschergruppe auf und zielt auf die weitere interaktive Kopplung der Projekte.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 365: Teilchenstrahlen-stimulierte Ultrapräzisions-Oberflächenbearbeitung