Epitaktisch gewachsene AlGaInAsSb-Schichtenfolgen für Halbleiterlaser im mittleren Infrarot

Antragsteller Professor Dr. Henning Fouckhardt
Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung von 1997 bis 2002
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5393839
 

Projektbeschreibung

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DFG-Verfahren Sachbeihilfen