Epitaktisch gewachsene AlGaInAsSb-Schichtenfolgen für Halbleiterlaser im mittleren Infrarot
Fachliche Zuordnung
Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung
Förderung von 1997 bis 2002
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5393839
Keine Zusammenfassung vorhanden
DFG-Verfahren
Sachbeihilfen
