Lernen führt u.a. zur Umstrukturierung bestehender und Bildung neuer Synapsen im Zentralnervensystem. Daran sind Zelladhäsionsmoleküle (ZAMs) beteiligt. Wir haben mit in situ-Hybridisierungen gezeigt, daß die neuralen ZAMs L1.1, L1.2, NCAM und Ependymin nach Konditionierungen von Zebrabärblingen im Tectum opticum verstärkt exprimiert werden. Die Gedächtnisbildung konnte nach dem Lernen durch Antikörper gegen zwei der ZAMs gehemmt werden. Durch Injektion von Antikörpern und Antisense-Oligonucleotide sowie kompetitierenden Peptiddomänen wird jetzt bestimmt, an welchen der sequentiellen Phasen der Gedächtnisbildung die induzierten ZAMs beteiligt sind. Im Elektronenmikroskop wird immuncytologisch dokumentiert, wo die ZAMs bei der Gedächtnisbildung in Zell-Zell - und Zell-Matrix-Wechselwirkungen eingreifen. Die Generalität der Befunde wird durch ein zweites, streßfreies Lernparadigma übeprüft.(P)
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