Verspannte AlGaN/InGaN Doppelheterostrukturen auf 6H-SiC: Struktur, elektrische Eigenschaften und HEMT Anwendungen

Antragstellerin Professorin Dr. Angela Rizzi
Fachliche Zuordnung Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 1997 bis 2002
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5372864
 

Projektbeschreibung