Die Modellierung des Wachstums von Gruppe III-Nitrid-Halbleiteroberflächen ist ein wichtiger Schritt, um die Morphologie und Eigenschaften von GaN-Epitaxieschichten systematisch zu verbessern. In der letzten Antragsperiode haben wir die atomare Geometrie, elektronische Struktur und Energetik aller für das Wachstum von GaN relevanten Oberflächen untersucht und identifiziert. Auf der Basis dieser Ergebnisse haben wir weiterhin die Diffusion von Adatomen auf diesen Oberflächen berechnet, welche erste Einblicke in die Wachstumsmechanismen dieses Materialsystems lieferte. In der folgenden Antragsphase wollen wir aufbauend auf diesen Ergebnissen die Gleichgewichtsstruktur von Stufen auf Oberflächen und die Diffusion von Adatomen über und entlang von Stufen untersuchen. Diese Ergebnisse ermöglichen einerseits einen direkten Einblick in die relevanten Wachstumsmechanismen. Andererseits sollen diese Ergebnisse als Eingabeparameter für mesoskopische Wachstumsmodelle mittels MonteCarlo bzw. Ratengleichungen benutzt werden. Daraus lassen sich dann Schlußfolgerungen bezüglich Stabilität, Morphologie und Wachstumsgeschwindigkeit der verschiedenen Facetten erhalten. Weiterhin sollen diese Resultate benutzt werden, um den Einbau von Indium bzw. die In-Segregation in InGaN-Legierungen zu verstehen.
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