In diesem Projekt sollen mittels einer alternativen chemischem Niederdruck-Gasphasen-Epitaxie epitaktisch GaN-Schichten mit Gallium-(III)-chlorid als Vorstufe gewachsen werden. In einer fortgeschritteneren Phase des Projektes soll im Hinblick auf eine Erniedrigung der Wachstumstemperatur der Prozeß durch den Einsatz einer Plasmaquelle unterstützt werden. Durch die Verwendung eines Stickstoff-Plasmas als alternative N-Vorstufe besteht die Möglichkeit Epitaxie in einer Kohlenstoff- und Wasserstoff-freien Atmosphäre zu betreiben. Dann kann man mittels Kohlenstoff-(IV)-Chlorid GaN-Schichten mit Kohlenstoff dotieren ohne einer Passivierung der Störstellen durch Wasserstoff Gefahr zu laufen. Eine Optimierung des Wachstums auf SiC ohne Pufferschicht bietet die Möglichkeit GaN/SiC Heterostrukturen mit definierten Interfaces herzustellen. Auf dieser Basis wurde bereits innerhalb dieses Projektes eine n-GaN/P-SiC Heterodiode hergestellt. Im weiteren Verlauf dieses Projektes sollen so Heterobipolar-Transistoren hergestellt werden.
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