Die Gruppe III-Nitride, d.h. die Verbindungen AlN, GaN, InN und ihre Legierungen, haben wegen ihrer möglichen Anwendungen in der Optoelektronik seit einigen Jahren großes Interesse gefunden. Zur Optimierung des Designs von Bauelementen aus diesen Substanzen ist eine detaillierte Kenntnis ihrer intrinsischen elektronischen Eigenschaften wichtig. Der vorliegende Antrag hat zum Ziel, derartige Eigenschaften, wie z.B. Deformationspotentiale und Bandmassen, mit der Methode der nichtlinearen Spektroskopie zu bestimmen.
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