Project Details
Projekt
Dotierung von Galliumnitrid durch Ionenimplantation
Applicant
Professor Dr. Bernd Rauschenbach
Subject Area
Condensed Matter Physics
Term
from 1997 to 2001
Project identifier
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5369915
Das Forschungsvorhaben hat das Ziel, die optimalen Bedingungen für die p- und n-Dotierung von GaN-Schichten durch Ionenimplantation und thermischer Nachbehandlung, als Voraussetzung für die Realisierung von elektronischen Bauelementen, zu untersuchen. Parallel erfolgen Untersuchungen zur Separation leitfähiger Bereiche durch Implantation von Helium- bzw. Wasserstoffionen. Es erfolgt eine Konzentration auf die Implantation von Ca- und Mg-Ionen für die p-Dotierung beziehungsweise auf Si- und O-Ionen für die n-Dotierung. Schwerpunkt wird die Reduzierung der bestrahlungsinduzierten Defekte an Ausgangsmaterialien mit möglichst geringer intrinsischer Hintergrundkonzentration sein. Die in der ersten Antragsperiode gewonnenen Bedingungen für die Implantation und insbesondere für die thermische Nachbehandlung werden für die optimale Gestaltung der Dotierung lokaler Bereiche eingesetzt. Letztlich wird angestrebt die physikalischen Zusammenhänge zwischen Dotierung, Defektbildung, thermischer Behandlung und den elektrischen und optischen Eigenschaften aufzuklären, für prognostizierte Anwendungen zu nutzen und reproduzierbar zu gestalten.
DFG Programme
Priority Programmes
