Alternative processes in SiC-based MOS and bipolar technology

Im vorliegenden Teilprojekt sollen die physikalischen Grundlagen und technologischen Prozesse für alternative Lösungen für die SiC-Sublimationszüchtung und Dotierung von SiC mit hohen Donatorkonzentrationen erarbeitet werden. Damit sollen die Voraussetzungen geschaffen werden, um SiC-Hochleistungsbauelemente mit großer Fläche - d.h. mit hohen Strömen - und niedrigen Verlusten durch den Bahnwiderstand sowie genügend großer Ausbeute über der gesamten Waferfläche herstellen zu können.

DFG-Verfahren Forschungsgruppen

Teilprojekt zu FOR 476:  SiC als Halbleitermaterial: Alternative Wege in Züchtung und Dotierung