Das attraktive Ausheilverhalten von ZnO soll im Rahmen dieses Projektes in zweierlei Hinsicht untersucht bzw. ausgenutzt werden. Es soll eienrseits die Implantation mit nachfolgendem Ausheilen der ZnO-Schichten detailliert untersucht werden. Ziel ist es, die der p-Dotierung zu Grunde liegende Mechanismen sowie kritische Parameter für eine Implantations-Technologie im ZnO-Materialsystem aufzuklären bzw. zu erarbeiten, um möglichst weitgehende Freiheiten bei der Kontrolle der elektrischen Eigenschaften zu erhalten. Das attraktive Ausheilverhalten von ZnO soll darüber hinaus zur Herstellung von Quasi-Substraten genutzt werden. Zur Herstellung von Quasi-Substraten werden Schichten auf preiswerte Substrate mit allerdings meist hoher Gitterfehlpassung aufgebracht. Die Qualität der aufgewachsenen Schichten kann durch geeignete Verfahren optimiert werden. Hierdurch könnten z.B. auch Silizium - versehen mit geeigneten Pufferschichten aus ZnO - als Unterlage für die Epitaxie von Halbleiter-Bauelementen auf ZnO-Basis dienen. Bei der Herstellung von alternativen Quasi-Substraten spielt wiederum das attraktive Ausheilverhalten von amorphen oder polykristallinen ZnO-Schichten eine wichtige Rolle. Als Materialbasis dienen ZnO-Schichten und MgZnO-CdZnO-Heterostrukturen, die mittels MOCVD im Rahmen dieses Projekt hergestellt werden sollen.
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