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Anwendung von Self-assembled Monolayers (SAMs) zur Herstellung von `Organischen Feldeffekt-Transistoren`

Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung Förderung von 2001 bis 2005
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5307698
 
Im Rahmen des SFB 329 (1986-1998) "Physikalische und chemische Grundlagen der Molekularelektronik" haben wir uns intensiv mit der Herstellung und Charakterisierung geordneter monomolekularer Schichten beschäftigt. Es ist deshalb in der Arbeitsgruppe viel Erfahrung in der Synthese geeigneter organischer Verbindungen, der Herstellung, Charakterisierung und Strukturierung monomolekularer Schichten auf unterschiedlichen Materialien (Si-OH, Si-H, Au, ITO) [1-3] vorhanden, die vorteilhaft in den Forschungsschwerpunkt eingebracht werden könnte. Eine besonders enge Zusammenarbeit besteht z.Zt. mit der Gruppe von PD Dr. H. Schweizer (Universität Stuttgart), mit der auch die für die nächsten zwei Jahre vorgeschlagenen Projekte bearbeitet werden sollen: 1. Herstellung und Untersuchung eines MIS-FETs auf Silizium mit einer SAM als Isolierschicht und einer aufzubringenden metallischen Gate-Elektrode. 2. Entwicklung eines kovalent an die SAM angebundenen halbleitenden organischen Polymers auf Polypyrrol- oder Polythiophenbasis als Kanalschicht. 3. Aufbau einer monomolekularen Kanalschicht aus - zur Komplexierung von Metallen geeigneten - SAM-Endgruppen, wie beispielsweise Phthalocyaninen.
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
 
 

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