Organische Feldeffekttransistoren auf ultradünnen Isolatoren: Untersuchungen zur Grenzflächenproblematik
Fachliche Zuordnung
Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung
Förderung von 2001 bis 2010
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5306788
Im Projekt soll (a) die Organik/Isolator Grenzfläche untersucht werden, da ihre Qualität die strukturellen und elektrischen Schichteigenschaften in OFETs stark beeinflusst. Optimierungsstrategien sollen erarbeitet werden. Das Augenmerk liegt dabei auf der Wechselbeziehung zwischen der Bindung zum Substrat und den frühen Stadien der Strukturbildung. Auf geordneten Isolatoren (epitaktisches Al2O3) ist z.B. die Rolle von Oberflächendefekten, auf amorphem SiO2/Si(100) der Einfluss der Oxidqualität zu untersuchen. Ebenfalls von großer Bedeutung in OFETs ist (b) die Metall/Organik Grenzfläche. Hier ist eine gute elektronische Anbindung des Moleküls gefragt. Beide Grenzflächentypen sollen schwerpunktmäßig durch Elektronenenergie-Verlustspektroskopie (HREELS, ELS), aber auch durch Rastersondenmikroskopie (STM und AFM) untersucht werden. Als organische Moleküle werden Polyacene, insbesondere das Pentacen, verwendet. Schließlich soll (c) die Strukturbildung organischer Schichten auf molekularer Skala bei konkurrierender Wechselwirkung mit verschiedenen Grenzflächentypen untersucht werden (STM). Dazu werden selbstorganisierte metallische Nanostrukturen auf Schichthalbleitern (z.B. WSe2) als Modellsysteme verwendet.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
