Herstellung und Charakterisierung kristalliner Rubren- und Pentacenfilme in FET-Strukturen
Fachliche Zuordnung
Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Förderung
Förderung von 2001 bis 2008
Projektkennung
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5305052
In diesem Projekt soll das Wachstum ultradünner Pentacenschichten auf einkristallinen Metalloberflächen untersucht werden. Im Hinblick auf den Einsatz in einem organischen Feldeffekttransistor (OFET) wollen wir als Substrate Metalloberflächen (source und drain-Kontakte) und Isolatoroberflächen (Al2O3, SiO2) verwenden. Alternativ soll neben den klassischen anorganischen Isolatoren die Eigenschaften einer organischen Isolatorschicht aus längeren Alkanen analysiert werden. Von besonderem Interesse ist die Frage, inwieweit die Orientierung der Moleküle durch Aufbringen selbstorganisierter Schichten, (SAMs, Organothiole, Organosilane) auf die Isolator- und Metallsubstrate manipuliert werden kann. Die strukturelle Charakterisierung der Pentacenschichten soll mittels Beugung niederenergetischer Elektronen (LEED) und Rastertunnelmikroskopie (STM) erfolgen, die elektronische Struktur soll mittels Röntgenabsorptionsspektroskopie (NEXAFS) und Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie (UPS) bestimmt werden.
DFG-Verfahren
Schwerpunktprogramme
