Wellenleitergestützte MIR-Antimonid-Photodetektoren mit TYP II-Heteroübergängen
Subject Area
Electronic Semiconductors, Components and Circuits, Integrated Systems, Sensor Technology, Theoretical Electrical Engineering
Term
from 2000 to 2004
Project identifier
Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 5262312
In der chemisch-analytischen Messtechnik wird vermehrt an miniaturisierte optische Sensoren und Detektormodule auf integrierten optoelektronischen Chips gedacht, die eine Lichtquelle, einen Fluidkanal oder ein Fluidreservoir sowie einen Photodetektor enthalten. Für diese Zwecke bieten sich wellenleitergestützte Interband-Übergangs-Photodetektoren für den mittleren infraroten Spektralbereich auf Basis des Materialsystems (Al)GaInAsSb mit Typ II-"broken gap"-InAs-Ga(In)Sb-Heteroübergängen konzipiert, mittels Molekularstrahlepitaxie und Photolithographie halbleitertechnologisch hergestellt, vermessen und optimiert werden.
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