Silizium-Germanium-Mischkristallschichten auf Siliziumsubstraten sind als Materialsystem für schnelle Mikroelektronik etabliert. Dennoch können bestimmte Möglichkeiten des Materialsystems nicht voll ausgeschöpft werden, da die Relaxation mittels Misfitversetzungen nicht hinreichend beherrscht wird. In einem vorangehenden Projekt wurde nachgewiesen, daß Quergleiten bei der Relaxation eine wesentliche Rolle spielt und daß es Möglichkeiten gibt, lokal plastische Relaxation auszulösen.Wesentliche Teilprozesse der Relaxation sind in der Anfangsphase die Nucleation an bisher unbekannten Defekten und im weiteren Verlauf die Konkurrenz von Blockierung und Quergleiten bei der Propagation von Misfitversetzungen. Diese Mechamismen sollen durch die Kombination von Röntgentopographie, Atomkraftmikroskopie und vor allem Transmissionselektronenmikroskopie mittels Zielpräparation in verschiedenen Skalenbereichen untersucht werden. Diese Techniken sollen andererseits auch eingesetzt werden, um Blockierung und Quergleiten in speziell präparierten Proben untersuchen zu können.
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