In GaInN-GaN-Hetero- und Quantenfilmstrukturen werden spektroskopisch im allgemeinen deutliche Hinweise auf LadungsträgerLokalisierungen beobachtet, deren Entstehung aufgrund von Kompositions- und daraus resultierenden Potentialfluktuationen einerseits und aufgrund von großen inneren peizoelektrischen Feldern als Folge großer Gitterfehlanpassungsverspannungen andererseits erklärt werden. Beide Effekte lassen sich bei konventionellen Herstellungsbedingungen kaum voneinander trennen. Das vorliegende Projekt setzt sich zum Ziel, deren Einfluß getrennt zu untersuchen. Hierzu sollen verspannte Hetero- und Quantenfilmstrukturen ohne innere elektrische Felder epitaktisch hergestellt werden durch Wachstum in Kristallrichtungen, in denen keine Piezoelektrizität entsteht. Diese Studien sollen auch Aussagen über den Einfluß dieser Faktoren auf BauelementAnwendungen erlauben.
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