Der Kenntnisstand über die durch die Versetzungsverteilung bedingten elektrischen Inhomogenitäten in undotiertem hochohmigem GaAs hat sich in den letzten Jahren deutlich erweitert. Doch gibt es noch erhebliche Lücken insbesondere im Verständnis der für diese Inhomogenitäten verantwortlichen Defekt- bzw. Verunreinigungsanreicherung in den Zellwänden. Informationen über die dieser Anreicherung zugrundeliegende Wechselwirkung zwischen Versetzungen und Punktdefekten sollen einerseits Untersuchungen der in der Umgebung einzelner isolierter Versetzungen auftretenden Veränderungen elektrischer Eigenschaften mittels einer neu entwickelten hochauflösenden Variante des Punktkontaktverfahrens und andererseits die Erfassung der zwischen Zellwänden und Zellzentren auftretenden Konzentrationsunterschiede mitteltiefer Niveaus mittels ortsaufgelöster PICTS liefern. Diese Untersuchungen sind zunächst an undotierten GaAs-Proben aus dem Leitfähigkeitsbereich (10-4-10-8)-1cm-1 vorgesehen. Eine Erweiterung auf mittelohmiges undotiertes GaAs(Ohm = 10-4-101cm), das zunehmend als Substratmaterial an Interesse gewinnt, wird angestrebt.
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