Darstellung und Eigenschaften elektronenarmer CF3-substituierter SiSi- und SiOSi-Bindungssysteme

• Antragsteller: Professor Dr. Reint Eujen
• Fachliche Zuordnung: Molekülchemie
• Förderung: Förderung von 1995 bis 2001
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5232562

Grundsätzliches Ziel des Projektes ist es, durch Einführung der stark elektronenziehenden und gleichzeitig "harten" CF3-Gruppe das Element Silicium in eine für organische Derivate ungewöhnliche elektronische Umgebung zu bringen, die wiederum ungewöhnliche physikalische und chemische Eigenschaften bedingt. In den ersten beiden Phasen konnten monomere Bausteine sowie CF3-substituierte Disilane und Disiloxane als Basis für den Aufbau oligomerer bzw. polymerer SiOSi- sowie SiSi-Systeme erhalten werden. Im Fall von einfach trifluormethylierten Siloxanen des Typs [(CF3)RSiO]n (R = Alkyl, Aryl) konnten die Reaktionsbedingungen optimiert sowie erste Vertreter isoliert und strukturell charakterisiert werden, deren physikalische Eigenschaften in Kooperation mit anderen Arbeitskreisen Gegenstand weiterer Untersuchungen sein werden. Auf der Basis neuer, im Rahmen dieses Projektes erarbeiteter Synthesemethoden für Bis(trifluormethyl)silane sollen die bestehenden Erfahrungen auf oligomere und polymere [(CF3)2SiO]n-Systeme ausgeweitet werden. In bezug auf die Darstellung CF3-substituierter SiSi-Systeme konnten über die gezielte Synthese einiger CF3-substituierter Oligosilane hinaus Hinweise auf präparativ anwendbare Wege erhalten werden, die erwarten lassen, daß [(CF3)2Si]n-Systeme zugänglich sein werden.

• DFG-Verfahren: Schwerpunktprogramme
• Teilprojekt zu: SPP 472: Spezifische Phänomene in der Silicium-Chemie