Künstliche Lateralstrukturen in Multischichtsystemen

• Antragsteller: Professor Dr. Ulrich Heinzmann
• Fachliche Zuordnung: Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 1997 bis 2002
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5462737

Der Forschungsgegenstand ist die künstliche Lateralstrukturierung von Multischichtsystemen aus alternierenden Metall-Nichtmetallmultischichten, wie sie mittels MOCVD Verfahren wie in Projekt 2 oder mittels PVD Verfahren hergestellt werden. Die so resultierenden nanostrukturierten Röntgenspiegel sind von großer Bedeutung für die EUV-Lithographie in Bereichen der Nanoelektronik und Nanomagnetismus oder für diffraktive Röntgenoptiken. Das Projekt gliedert sich in zwei Unterprojekte:a) Herstellung von lateralstrukturierten Multischichtsystemen mittels reaktivem Ionenätzen RIE; b) Schreiben und Charakterisierung von lateralen Nanostrukturen mit UHV-Rastersondenverfahren.Im Bereich des reaktiven Ionenätzens an Metall-Silizium-Multischichten sollen durch Ausnutzen von Seitenwandpassivierung, Substratkühlung und Prozeßoptimierung die Strukturgenauigkeit des Übertrags der lithographischen Nanostrukturen weiter optimiert werden.Im Unterprojekt II sollen die Arbeiten zum STM-Schreiben in selbstorganisierte molekulare Monolagen weiter ausgebaut werden sowie komplexe Strukturen mittels laserunterstütztem STMSchreiben direkt in Goldschichten eingeschrieben werden.

• DFG-Verfahren: Forschungsgruppen
• Teilprojekt zu: FOR 225: Neue chemische und physikalische Ansätze für Abscheidung, Wachstum und Lateralstrukturierung von Nanometerschichtsystemen