III-V Verbindungs-Halbleiter auf Nitrid-Basis, wie z.B. Galliumnitrid (GaN) sind aufgrund ihrer technologischen Anwendbarkeit als Ausgangsmaterial für die Herstellung von Laserdioden im blauen, violetten und ultravioletten Spektralbereich zu einem äußerst interessanten Untersuchungsgegenstand innerhalb der Festkörperphysik geworden. Von besonderem wissenschaftlichem und technologischem Interesse sind experimentelle Daten zu Details der Energiebandstruktur, wie z.B. der effektiven Masse von Ladungsträgern. Einen direkten Zugang hierzu liefert die Untersuchung der Zyklotronresonanz (CR) in sehr hohen Magnetfeldern, die allerdings weltweit nur in sehr wenigen hochspezialisierten Labors, wie zum Beispiel am VNIIEF (Sarov) und an der HU (Berlin) verfügbar sind. Im Rahmen des vorliegenden Projektes sollen die an diesen beiden Einrichtungen vorhandenen experimentellen Möglichkeiten gebündelt werden, um:-erstmalig CR-Experimente in Feldern bis 800 T durchführen zu können,-Unterschiede der Energiebandstruktur von GaN in der Wurzit- und in der Zinklblendestruktur experimentell zu erfassen,-die Anisotropie der effektiven Masse von Löchern in Wurzit-GaN zu untersuchen,-die theoretisch vorhergesagte Aufspaltung der Zyklotronresonanz in Gallium-Aluminiumnitrid-Heterostrukturen experimentell zu verifizieren.
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