Aufklärung der Einbau- und Kompensationsmechanismen von Störstellen in GaN-Halbleiterstrukturen mittels linearer und nichtlinearer optischer Spektroskopie

Antragsteller Professor Dr. Axel Hoffmann
Fachliche Zuordnung Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 1997 bis 2000
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 5197419
 

Projektbeschreibung

Keine Zusammenfassung vorhanden
DFG-Verfahren Schwerpunktprogramme
Teilprojekt zu SPP 1032:  Gruppe III-Nitride und ihre Heterostrukturen: Wachstum, materialwissenschaftliche Grundlagen und Anwendungen
Beteiligte Person Professor Dr. Immanuel Broser (†)