Fehlermechanismus und Zuverlässigkeit von Valenzwechselspeichern (T01*)

Im Projekt wird die statistische Charakterisierung von VCM-Zellen unter Anwendungsbedin-gungen durchgeführt, um die relevanten Fehlerphänomene zu identifizieren. Simulationsstudien mit den in der letzten Zeit entwickelten KMC-, Kompakt- und Kontinuumsmodellen ergänzen die experimentellen Arbeiten. Ziel ist es, die physikalische Ursache des Bauelementfehlers durch den Vergleich der Simulati-onsergebnisse mit den experimentellen Daten aufzuklären. Schließlich werden Strategien zur Minimie-rung der Ausfallraten entwickelt. Diese Arbeit wird in Zusammenarbeit mit der Infineon Technologies AG als Industriepartner durchgeführt.

DFG-Verfahren Sonderforschungsbereiche (Transferprojekt)

Teilprojekt zu SFB 917:  Resistiv schaltende Chalkogenide für zukünftige Elektronikanwendungen: Struktur, Kinetik und Bauelementskalierung "Nanoswitches"

Antragstellende Institution Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen

Teilprojektleiter Professor Dr.-Ing. Rainer Waser