Zink-Magnesium Oxinitride

• Antragsteller: Professor Dr. Marius Grundmann
• Fachliche Zuordnung: Experimentelle Physik der kondensierten Materie
• Förderung: Förderung von 2017 bis 2022
• Projektkennung: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 391011127

Metall-oxinitride stellen ein alternatives Materialsystem für die Realisierung von Dünnfilm-Transitoren dar. Die am meisten verbreiteten Materialien für diese Anwendung sind neben Silizium zumeist amorphe multi-Kationen Verbindungen, die relativ geringe Beweglichkeiten haben (etwa 1-10 cm^2/Vs). Auf der anderen Seite bzgl. kristalliner Qualität und Elektronen-Beweglichkeit stehen ZnO-basierte Heterostrukturen für HEMT-Bauelemente (high electron mobility transitor), die auch die Beobachtung des nicht-ganzzahligen Quanten-Hall-Effekts erlauben. Das Ziel des Projekts ist es, die Lücke zwischen diesen beiden Extremen zu überbrücken, indem die beiden multi-Anion Familien ZnON und MgON untersucht werden. In ZONE schlagen wir das Wachstum von (Zn.Mg)(O,N) Dünnfilmen mittels Magnetron-.Sputtern und Molekularstrahlepitaxie vor sowie das Studium deren wenig bis gar nicht bekannten grundlegenden physikalischen Eigenschaften. Zudem sollen die Schichten für elektronische Bauelemente, insbesondere HEMTs sowie Dünnfilm-Transistoren (MESFET und JFET) verwendet und getestet werden.

• DFG-Verfahren: Sachbeihilfen
• Internationaler Bezug: Frankreich
• Großgeräte: Nitrogen plasma source
• Gerätegruppe: 8380 Schichtdickenmeßgeräte, Verdampfungs- und Steuergeräte (für Vakuumbedampfung, außer 833)
• Kooperationspartner: Dr. Jesus Zuniga-Perez