Sukzessive Anlagerung von Cu Atomen im Si: Die erste Phase zur Präzipitation.

Das Ziel dieses Pr0jekts ist ein verbessertes Verständnis der frühen Entwicklung von Cu-Präzipitataen im Si durch die Beobachtung des Wachstums von Cu Komplexen aus substitutionellen (CuS) und interstitiellen (Cui) Kupferatomen (CuSnCui) in n- und p-Typ Si. Kupfer wird durch chemo mechanisches Polieren oder naß-chemisches Ätzen bei Raumtemperatur in die Si Proben eingebracht. Das Wachstum der kleinen Kupfer Komplexe wird durch die Deep Level Spectroscopy (DLTS) verfolgt. Das Projekt wird zu einem besseren Verständnis der Präzipitat Bildung bei tiefen Temperaturen führen und Wege zu einem besseren Gettern aufweisen, die das Bauelement Fehlverhalten reduzieren. Der vorgeschlagene Wachstumsprozess von leitfähigen Cu Präzipitaten in Si Wafern, könnte zu neuen Interconnect Verbindungen in Bauelementen führen.

DFG-Verfahren Sachbeihilfen