Strukturierungslinie zur Erzeugung von vertikalen und planaren Mikrostrukturen in breitbandigen Halbleitermaterialien (ICP-Trockenätzanlage)
Final Report Abstract
Die Trockenätzanlage konnte bislang im Rahmen mehrerer Drittmittelprojekte erfolgreich zur Strukturierung von Halbleitern eingesetzt werden. Zum einen für die Prozessierung von neuartigen Feldeffekttransistoren und für die Untersuchung neuartiger hochohmiger FET Pufferschichten. Zum anderen für optoelektronische Bauelementstrukturen, u.a. LED Strukturen und Bragg-Reflektoren und darauf basierende LEDs sowie Vorarbeiten für erste Laser. Diese Strukturierungen waren und sind für die betreffenden Projekte unersetzlich um Aussagen in Bezug auf die Qualität der erzeugten Schichten machen zu können und Bauelemente für weitere Untersuchungen zu realisieren. Bis zur Inbetriebnahme der Anlage stellte dies einen wesentlichen Engpass dar, der die Möglichkeiten der Forschung und Projektantragstellung stark einschränkte. Inzwischen konnten durch die dazugewonnene Fähigkeit der Strukturierung neue Projekte eingeworben werden.
Publications
- Enhanced sheet carrier densities in polarization controlled AlInN/AlN/GaN/InGaN field-effect transistor on Si (111). AIP Advances 5, 077146 (2015)
J. Hennig, A. Dadgar, H. Witte, J. Bläsing, A. Lesnik, A. Strittmatter, and A. Krost
(See online at https://dx.doi.org/10.1063/1.4927402)
