Metallorganische Gasphasenepitaxie Anlage für Forschungszwecke
Zusammenfassung der Projektergebnisse
Die beschaffte Metallorganische Gasphasenepitaxie-Anlage ist zu einem zentralen Bestandteil der Halbleiterentwicklung am Institut geworden. Die Homogenität der abgeschiedenen Heterostrukturen ist über den gesamten Wafer ausgezeichnet. Die Emissionseffizienz der lichtemittierenden Strukturen hat sich auf Grund der wesentlich besseren Kristallqualität deutlich gesteigert. Damit können sowohl im Bereich der Quantenfilm als auch der Quantenpunkt-basierten Bauelemente deutlich höhere optische Ausgangsleistungen erreicht werden. Die am Institut entwickelten roten Halbleiterscheibenlaser im Spektralbereich zwischen 640 nm – 660nm sind durch die verbesserte Kristallqualität zu den leistungsstärksten Bauteilen weltweit geworden. Durch Verwendung von frequenzverdoppelten Kristallen im Resonator konnten sogar im ultravioletten Spektralbereich um 330 nm Rekordleistungen von bis zu 430 mW erreicht werden. Die Herstellung von sättigbaren Halbleiterspielgen hat durch die neue Anlage auch einen deutlichen Aufschwung erhalten. Es könnte zum ersten Mal ein vollständig Quantenpunkt basierter modengekoppelter Laser im Materialsystem AlGaInP gezeigt werden, mit einer Breite der Laserpulse von 1 ps und einer mittleren Laserleistung von 10 mW. Auch hier konnte mittels Frequenz-Verdopplung ein modengekoppelter Laser bei 330 nm realisiert werden. Basierend auf diesen Erfolgen mit neuen hervorragenden Halbleiterheterostrukturen sind nun komplexe Realisierungen von Halbleiterscheibenlasern möglich geworden. Auch im Bereich der Quantenpunktgrundlagenforschung konnten mit dem neu beschafften Gerät entscheidende Experimente realisiert werden. Zum Beispiel wurden InAs Quantenpunkte erfolgreich epitaktisch in Wellenleiterstrukturen integriert um die volle Funktionalität eines Strahlteilers integriert auf einem Halbleiterchip zu demonstrieren. Dies stellt einen grundlegenden ersten Schritt zur vollständigen Integration von quantenoptischen Prozessen auf Chiplevel dar. Auch die Einbettung von InGaAs Quantenpunkten, welche im Telekomunikations-relevanten Wellenlängenbereich um 1,3 µm emittieren, in komplexe Bauteilstrukturen zur Erhöhung der Extraktionseffizienz, sowie zum Aufbau von kompakten Faser-basierten Quellen ist nun realisierbar.
Projektbezogene Publikationen (Auswahl)
- All quantum dot modelocked semiconductor disk laser emitting at 655 nm. Appl. Phys. Lett. 105, 082107 (2014)
R. Bek, G. Kersteen, H. Kahle, T. Schwarzbäck, M. Jetter and P. Michler
(Siehe online unter https://dx.doi.org/10.1063/1.4894182) - High optical output power in the UVA range of a frequency-doubled, strain-compensated AlGaInP-VECSEL. Appl. Phys. Express 7, 092705 (2014)
H. Kahle, R. Bek, M. Heldmaier, T. Schwarzbäck, M. Jetter, and P. Michler
(Siehe online unter https://doi.org/10.7567/APEX.7.092705) - Structural and emission properties of InGaAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3µm. Appl. Phys. Lett. 105, 152102 (2014)
E. Goldmann, M. Paul, F. F. Krause, K. Müller, J. Kettler, T. Mehrtens, A. Rosenauer, M. Jetter, P. Michler and F. Jahnke
(Siehe online unter https://dx.doi.org/10.1063/1.4898186) - Comparison of AlGaInP-VECSEL gain structures. Journal of Crystal Growth 414, 219 (2015)
S. Baumgärtner, H. Kahle, R. Bek, T. Schwarzbäck, M. Jetter and P. Michler
(Siehe online unter https://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.10.016) - Enhanced Efficiency of AlGaInP Disk Laser by In-Well Pumping. Optics Express 23, 2472-2486 (2015)
C. M. N. Mateo, U. Brauch, T. Schwarzbäck, H. Kahle, M. Jetter M. Abdou-Ahmed, P. Michler and T. Graf
(Siehe online unter https://dx.doi.org/10.1364/OE.23.002472) - Fabrication and optical characterization of large scale membrane containing InP/ AlGaInP quantum dots. Nanotechnology 26, 235201 (2015)
H. Niederbracht, F. Hargart, M. Schwartz, E. Koroknay, C. A. Kessler, M. Jetter and P. Michler
(Siehe online unter https://doi.org/10.1088/0957-4484/26/23/235201) - Intracavity frequency-doubled mode-locked semiconductor disk laser at 325 nm. Opt. Express 23(15), 19947-19953 (2015)
R. Bek, S. Baumgärtner, F. Sauter, H. Kahle, T. Schwarzbäck, M. Jetter, and P. Michler
(Siehe online unter https://dx.doi.org/10.1364/OE.23.019947) - Metal-organic vapor-phase epitaxy-grown ultra-low density InGaAs/GaAs quantum dots exhibiting cascaded single-photon emission at 1.3 µm. Appl. Phys. Lett. 106, 122105 (2015)
M. Paul, J. Kettler, K. Zeuner, C. Clausen, M. Jetter and P. Michler
(Siehe online unter https://dx.doi.org/10.1063/1.4916349) - Monolithic on-chip integration of semiconductor waveguides, beamsplitters and single-photon sources. J. Phys. D: Appl. Phys. 48 085101 (2015)
K. D Jöns, U. Rengstl, M. Oster, F. Hargart, M. Heldmaier, S. Bounouar, S. M Ulrich, M. Jetter and P. Michler
(Siehe online unter https://doi.org/10.1088/0022-3727/48/8/085101) - On-chip beamsplitter operation on single photons from quasi-resonantly excited quantum dots embedded in GaAs rib waveguides. Appl. Phys. Lett. 107, 021101 (2015)
U. Rengstl, M. Schwartz, T. Herzog, F. Hargart, M. Paul, S. L. Portalupi, M. Jetter and P. Michler
(Siehe online unter https://dx.doi.org/10.1063/1.4926729)
