Molecular beam epitaxy of magnetic manganese-doped semiconductors (B01)

• Subject Area: Experimental Condensed Matter Physics
• Term: from 2006 to 2017
• Project identifier: Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 14086190

Durch optimiertes Wachstum von GaMnAs auf unterschiedlichen Substratorientierungen, durch Kodotierungsowie durch gezieltes Einbringen von Verspannung sollen die Eigenschaften des ferromagnetischenHalbleiters beeinflusst und so eine möglichst hohe Curie-Temperatur erreicht werden. In- undex-situ Temperbehandlung sowie Kodotierung mittels Si oder C soll in volumen- und modulationsdotiertenGaMnAs-Schichten verwendet werden um eine Erhöhung der Löcherkonzentration oder derMn-Atome auf Ga Gitterplätzen zu erreichen.

• DFG Programme: Collaborative Research Centres
• Subproject of: SFB 689: Spin Phenomena in Reduced Dimensions
• Applicant Institution: Universität Regensburg
• Project Heads: Professor Dr. Dominique Bougeard, since 4/2010; Dr. Dieter Schuh; Professor Dr. Werner Wegscheider, until 2/2011