Elektrostatisch dotierte, laterale Source/Drain Kontakte in Nanodraht Tunnel Feld-Effekt Transistoren
Final Report Abstract
Das vorliegende Projekt beschäftigte sich mit der Herstellung, Charakterisierung und Simulation von Band-zu-Band Tunnel Feld-Effekt-Transistoren mit elektrostatisch dotierten Kontakten; die Source-Drain Gebiete sollten dabei vollständig ohne Dotierstoffe hergestellt werden. Dies bedingte, dass ein selbstjustierender Prozess für die Herstellung von zwei zusätzlichen Gateelektroden entwickelt wurde. Die zusätzlichen Gateelektroden sollen dabei aus einem Material mit geeignet hoher bzw. niedriger Austrittsarbeit bestehen, und so ohne Anlegen von zusätzlichen Spannungen n- und p-Typ Gebiete elektrostatisch erzeugen. Um eine geeignet gute Abschirmung des Gateeinflusses zu erreichen, muss das Gatedielektrikum in den Kontakten sehr dünn sein und kann sogar dünner ausfallen als im Kanalbereich, da es hier nicht zu Leckströmen kommen kann. Zur Herstellung solcher Source/Drain Kontakte wurde ein Interfaceengineering Ansatz basierend auf ultradünnen SiN Schichten erarbeitet und die Funktionalität demonstriert. Einzelne Prozessmodule (Interfacengineering Ansatz, Silizium-Umformung mit H2- Annealing) aus dem Projekt können für andere laufende, bzw. zukünftige Projekte weiterverwendet werden.
Publications
- Nanowire Tunneling Field-Effect Transistors, Semiconductors and Semimetals 94, January 2015
J. Knoch
(See online at https://doi.org/10.1016/bs.semsem.2015.09.005) - Dopant-free complementary metal oxide silicon field-effect transistors. Eingereicht bei phys. stat. solidi a, Volume 213, Issue 6, June 2016, Pages 1494-1499
S. Fischer, H. Kremer, B. Berghoff, T. Maß, T. Taubner and J. Knoch
(See online at https://doi.org/10.1002/pssa.201532998)
