Strukturbildende Prozesse in amorphen Kohlenstoffschichten
Final Report Abstract
Amorphe Kohlenstoffschichten mit hohem sp3-Anteil (ta-C-Schichten) befinden sich unter Umgebungs- oder Vakuumbedingungen in einem metastabilen Zustand. Durch Energiedeponierung können solche Schichten eine Phasenänderung hin zu einem graphitartigen Material durchlaufen. Diese Phasenänderung ist verbunden mit einer Änderung vieler physikalischer Eigenschaften von diamantartig zu graphitartig. Zu den betreffenden Eigenschaften gehören die elektrische Leitfähigkeit und die Austrittsarbeit. Beide erhöhen sich mit dem Grad der Graphitisierung. Es gibt verschiedene Möglichkeiten, diese Phasenänderung in eingeschränkten Gebieten lokal zu induzieren - bis hinab zum Nanometerbereich. Bekannte Methoden dazu sind gepulste Laser, hochenergetische Einzelionen, fokussierte Ionenstrahlen (FIB), lokale Strompulse und Bestrahlung mit hochenergetischen Elektronen. Innerhalb dieses Projektes wurden Struktur- und Eigenschaftsänderungen in ta-C-Schichten durch fokussierten Beschuss mit niederenergetischen Elektronen (eV- bis niedriger keV-Bereich) und Ionen mit Energien im keV-Bereich untersucht. Dabei wurden analytische Methoden mit hoher Ortsauflösung eingesetzt, darunter Rastersondenmikroskopie, STM-Spektroskopie, µ-Raman- Spektroskopie, ortsaufgelöste Photoemissionspektroskopie und lokale Leitfähigkeitsmessungen. Als wichtiges Teilergebnis hinsichtlich der ioneninduzierten Phasentransformation wurden zwei Teilprozesse identifiziert, die in Abhängigkeit der Ionenfluenz den Graphitisierungsprozess dominieren: Bei kleinen Fluenzen findet zunächst eine sp3-sp2-Umwandlung statt, die bei einer Fluenz von etwa 1015 cm^-2 abgeschlossen ist. Sie wird bei höheren Fluenzen gefolgt von einem Umordnungsprozess hin zu graphitischer, hexagonaler Atomordnung. Beide Teilprozesse sind begleitet von einer Zunahme der elektrischen Leitfähigkeit. Die elektroneninduzierte Phasenumwandlung wurde für zwei verschiedene Elektronenenergien untersucht: STM-emittierte Elektronen mit Energien im niedrigen eV-Bereich und Elektronenstrahlen im niedrigen keV-Energiebereich, wie sie in Rasterelektronenmikroskopen (SEM) oder Elektronenstrahlschreibern genutzt werden. Eine Graphitisierung von ta-C durch Elektronenbeschuss ist nur dann für oberflächenempfindliche Analytik sichtbar, wenn die selbst bei sehr guten Vakuumbedingungen auftretenden elektroneninduzierten Kontaminationsabscheidungen verhindert werden. Diese Bedingung konnte erfüllt werden, indem die Elektronenbestrahlung im UHV durchgeführt wurde und die ta-C-Schichten einer Temperbehandlung unterzogen wurden. Für beide Energiebereiche konnte eine Phasenänderung nachgewiesen werden, die verbunden ist mit einer Erhöhung der elektrischen Leitfähigkeit und der Austrittsarbeit. SEM-basierte ta-C-Strukturierung ohne weitere Prozessschritte ist gerade deswegen sehr interessant für mögliche Anwendungen, weil dafür die etablierte Technologie der Elektronenstrahllithographie genutzt werden kann. Die ioneninduzierte Phasenumwandlung von ta-C ist gegenüber der elektroneninduzierten Variante wesentlich effizienter hinsichtlich der nötigen Fluenz. Innerhalb dieses Projektes konnten wesentliche Beiträge zum Verständnis der Leitfähigkeit in ta-C-Schichten geleistet werden. Die Einstellbarkeit des spezifische Widerstandes als auch grundlegender elektronischer Eigenschaften wie der Austrittsarbeit lassen dieses Material sehr interessant für zukünftige mikroelektronische oder mikromechanische Bauelemente basierend auf Kohlenstoff erscheinen.
Publications
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