Graphene on SiC wafers for high performant RF transistors GRAPHIC RF

Antragsteller Professor Dr. Oleg Pankratov; Professor Dr. Thomas Seyller
Fachliche Zuordnung Elektronische Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, Integrierte Systeme, Sensorik, Theoretische Elektrotechnik
Experimentelle Physik der kondensierten Materie
Förderung Förderung von 2010 bis 2016
Projektkennung Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Projektnummer 163392002
 

Projektbeschreibung

The project aims to improve the basic knowledge on epitaxial graphene growth on SiC to establish the possibility to obtain the electronics quality required for Rf device fabrication. Different polytypes will be considered.simulations will be implemented. Standards and references will be established. Rf devices will be fabricated and characterised. Also other advanced devices will be considered.
DFG-Verfahren Sachbeihilfen
Internationaler Bezug Frankreich, Italien, Schweden
Beteiligte Personen Dr. Jean Camassel; Dr. Vito Raineri; Professorin Dr. Rositza Yakimova