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Polaronen in Halbleiter-Quantenpunkten und deren Einfluss auf Ladungsträger-Streuung und optische Eigenschaften

Subject Area Theoretical Condensed Matter Physics
Term from 2005 to 2009
Project identifier Deutsche Forschungsgemeinschaft (DFG) - Project number 15682773
 
Final Report Year 2009

Final Report Abstract

Im Rahmen einer quantenkinetischen Beschreibung der Wechselwirkung von Ladungsträgern in Halbleiter-Quantenpunkten mit LO-Phononen wurde die Efizienz der entsprechenden Streu- und Dephasierungsprozesse untersucht. Für selbstorganisierte Systeme wurden sowohl in den Quantenpunkten dreidimensional lokalisierten Zustände, wie auch delokalisierte Zustände bei höheren Energien betrachtet. Im Rahmen einer quantenkinetischen Beschreibung durch Nichtgleichgewichts-Greensche Funktionen wurden nichtstörungstheoretische Renormierungen der Quasiteilchen betrachtet, die Polaronen entsprechen. Die Streuprozesse wurden mit kinetischen Gleichungen in einer nicht-Markovschen Formulierung untersucht. Bei der numerischen Auswertung der Theorie wurden neben der Wechselwirkung mit LO- Phononen auch die Coulomb-Wechselwirkung der Ladungsträger sowie entsprechende Streuprozesse berücksichtigt. Neben dem Rückgriff auf einfache Modelle für die Einteilchenzustände in Effektivmassennäherung konnte eine Kombination der Vielteilchenbeschreibung der Wechselwirkungsprozesse mit atomistischen Tight-Binding-Modellen für die elektronischen Zustände entwickelt und angewendet werden. Unsere Ergebnisse zeigen, dass Polaronen in Quantenpunkten neben der Coulomb-Wechselwirkung für effziente Streuprozesse der Ladungsträger verantwortlich sind. Bei Raumtemperatur konnte die Einstellung eines thermodynamischen Gleichgewichts auf ps-Zeitskalen analysiert werden. Bei tiefen Temperaturen ergibt unsere Analyse in Übereinstimmung mit entsprechenden experimentellen Untersuchungen eine unvollständige Thermalisierung bevor die angeregten Ladungsträger rekombinieren. Im Rahmen der entwickelten mikroskopischen Modelle wurden optische Eigenschaften von Quantenpunktsystemen als aktives Material in Halbleiter-Lasern berechnet.

Publications

  • Anomaly in the excitation dependence of the optical gain of semiconductor quantum dots. Phys. Rev. B 74, 035334 (2006)
    M. Lorke, W. W. Chow, T. R. Nielsen, J. Seebeck, P. Gartner, and F. Jahnke
  • Excitation dependence of the homogeneous linewidths in quantum dots. phys. stat. sol. (c) 3, 2393 (2006)
    M. Lorke, J. Seebeck, T. R. Nielsen, P. Gartner, and F. Jahnke
  • Influence of carrier-carrier and carrier-phonon correlations on optical absorption and gain in quantum-dot systems Phys. Rev. B 73, 085324 (2006)
    M. Lorke, T.R. Nielsen, J. Seebeck, P. Gartner, and F. Jahnke
  • Quantum kinetic effects in the optical absorption of semiconductor quantumdot systems. Journal of Physics: Conf. Series 35, 182 (2006)
    M. Lorke, T. R. Nielsen, J. Seebeck, P. Gartner, and F. Jahnke
  • Quantum kinetic theory of phonon-assisted carrier transitions in nitride based quantum-dot systems. phys. stat. sol. (c) 3, 2038 (2006)
    J. Seebeck, T. R. Nielsen, M. Lorke, P. Gartner, and F. Jahnke
  • Quantum kinetic theory of phonon-assisted carrier transitions in nitridebased quantum-dot systems. Eur. Phys. J. B 49, 167 (2006)
    J. Seebeck, T.R. Nielsen, P. Gartner, and F. Jahnke
  • Relaxation properties of the quantum kinetics of carrier-LO-phonon interaction in quantum wells and quantum dots Phys. Rev. B 73, 115307 (2006)
    P. Gartner, J. Seebeck, and F. Jahnke
  • Carrier Scattering in Quantum-Dot Systems in Nitride Semiconductor Devices, J. Piprek Ed., Wiley-VCH (2007)
    F. Jahnke
  • Electronic shell structure and carrier dynamics of high aspect ratio InP single quantum dots. Phys. Rev. B 75 195302 (2007)
    G.J. Beirne, M. Reischle, R. Roßbach, W.M. Schulz, M. Jetter, J. Seebeck, P. Gartner, C. Gies, F. Jahnke, and P. Michler
  • Excitation Dependence of Gain and Carrier Induced Refractive Index Changes in Quantum Dots. Appl. Phys. Lett. 90, 051112 (2007)
    M. Lorke, F. Jahnke, and W. Chow
  • Carrier-carrier and carrier-phonon scattering in the low-density and lowtemperature regime for resonantly pumped semiconductor quantum dots. Phys. Status Solidi C 6, 488 (2009)
    J. Seebeck, M. Lorke, P. Gartner, and F. Jahnke
  • Excitation-induced energy shifts in the optical gain spectra of InN quantum dots. Appl. Phys. Lett. 95, 081108 (2009)
    M. Lorke, J. Seebeck, P. Gartner, F. Jahnke, and S. Schulz
  • Rabi oscillations in semiconductor quantum dots revisited: Influence of LO-phonon collisions. Appl. Phys. Lett. 94, 201108 (2009)
    K. Schuh, J. Seebeck, M. Lorke, and F. Jahnke
 
 

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