Professorin Dr. Doris Schmitt-Landsiedel
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Projekte
Als Antragstellerin
abgeschlossene Projekte
Analyse und Optimierung der parametrischen Ausbeute von verlustleistungsarmen Schaltungen
(Schwerpunktprogramme)
Niederohmige, elektromigrationsfeste Silberstrukturen für die Mikroelektronik
(Forschungsgruppen)
Der Tunneltransistor in matrixförmigen Schaltungen und Sensoren
(Forschungsgruppen)
Zentrale Dienste
(Forschungsgruppen)
Senkung der Verlustleistung in energierückgewinnender Logik durch abschaltbare Spannungsversorgung
(Sachbeihilfen)
Kompensation von On-Chip Parameterschwankungen durch lokale Spannungsanpassung aufgrund von in-situ Verzögerungsmessungen in integrierten CMOS Schaltungen
(Sachbeihilfen)
Analogschaltungen mit durch Degradation und Gate-Ströme bedingten zeitabhängigen Parameteränderungen: Modellierung der Einflüsse auf die Schaltungseigenschaften, Bewertung und Entwicklung von Gegenmaßnahmen.
(Sachbeihilfen)
3D Integration nichtflüchtiger nanomagnetischer Logik
(Sachbeihilfen)
Schaltungen und Systeme für nichtflüchtige nanomagnetische Logik
(Sachbeihilfen)
Als Sprecherin
abgeschlossene Projekte
FOR 395: Ausgewählte Materialien und Bauelemente für die Siliziumhöchstintegration
(Forschungsgruppen)
Als Teilprojektleiterin
abgeschlossene Projekte
Generierung verteilter Monitorsysteme und Laufzeitverifikation von invasiven Anwendungen
(Transregios)
