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Institution

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Ferdinand-Braun-Institut gGmbH, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH)
Forschungsbereich III/V-Elektronik
GaN Power Electronic Devices Lab

Adresse Gustav-Kirchhoff-Straße 4
12489 Berlin
Deutschland

GERiT Diese Institution in GERiT

12489 Berlin

Projekte

Schwerpunktprogramme
- laufende Projekte
  - Hochfrequent schaltende Leistungskonverter basierend auf AlN-Leistungstransistoren
    (Antragstellerinnen / Antragsteller Dieckerhoff, Sibylle ; Hilt, Oliver ; Wentzel, Andreas )
Sachbeihilfen
- laufende Projekte
  - Neue AlPN/GaN Halbleiterheterostrukturen für eine bessere GaN basierte Elektronik
    (Antragsteller Richter, Eberhard )
  - Physikalisch basierte statistische Modellierung von Mikrowellen-GaN-HEMTs
    (Antragsteller Rudolph, Matthias )
  - Verbesserung der Linearität von InP DHBTs für Sub-THz-Breitband-Anwendungen
    (Antragsteller Rudolph, Matthias ; Weimann, Nils )
  - Verbesserung der Robustheit von GaN-Leistungstransistoren durch neuartige GaN-Epi-Wafer mit verbesserter Wärmeabfuhr
    (Antragstellerinnen / Antragsteller Dieckerhoff, Sibylle ; Hilt, Oliver )

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